梁崴，梁伟铿

公司具备同时加工6英寸砷化镓射频晶圆、砷化镓VCSEL晶圆和氮化镓射频晶圆的能力。业界常用的器件材料和工艺平台包括RF CMOS、RF SOI、GaAs、SiGe、SAW和压电晶体等。逐渐兴起的新材料工艺包括氮化镓、MEMS等。业界各参与者正在需要寻找不同应用背景下材料、器件和工艺的最佳组合，以提高射频前端芯片产品的性能。

硅片产品涵盖6英寸到12英寸、轻掺杂到重掺杂、N型到P型等领域；功率器件涵盖平面、沟槽肖特基芯片、MOSFET芯片；半导体射频涵盖6英寸砷化镓晶圆、砷化镓VCSEL晶圆、氮化镓射频晶圆。

砷化镓微波射频集成电路芯片生产线采用自主研发的高集成InGaP HBT、0.15-0.5微米GaAs pHEMT和BiHEMT等射频集成电路工艺技术。产品工艺成熟可靠，具有世界先进水平（大部分工艺技术是中国台湾地区无法比拟的），产能规模位居国内前梯队。